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Vishay將在2013中國電子展成都站展示最新業(yè)界領(lǐng)先技術(shù)
Vishay將在6月20至22日成都世紀(jì)城新國際會展中心舉行的2013中國電子展成都站（夏季會）上展出其全線技術(shù)方案。Vishay的展位在3號館A214，展示亮點是其最新的業(yè)界領(lǐng)先的創(chuàng)新產(chǎn)品，包括無源元件、二極管、功率MOSFET、功率IC和光電子產(chǎn)品。
2013-06-18
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Vishay新型單相橋式整流器 反向電壓可達1000V
日前，Vishay推出四款單相橋式整流器MBL104S、MBL106S、MBL108S和MBL110S，反向電壓可達1000V，能夠承受最高30A浪涌電流。該器件采用薄型MBLS封裝，十分適用于智能手機充電器的AC/DC全波整流。
2013-05-10
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Vishay推出滿足航空、航天需求的T16系列液鉭電容器
近日，Vishay宣布，其采用glass-to-tantalum密封條的T16系列液鉭電容器現(xiàn)可供貨，有A、B、C和D四種外形代碼。對于航空和航天應(yīng)用，這些加固過的器件具有更好的耐振動（正弦周期振動：50g；隨機振動：27.7g）能力。
2013-05-09
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Vishay推出低至20m?導(dǎo)通電阻的P溝道高邊負載開關(guān)
近日，Vishay推出可在1.5V～5.5V電壓下工作的新款上升斜率控制的P溝道高邊負載開關(guān)---SiP32458和SiP32459，在3.3V和5V下的導(dǎo)通電阻為20m?，將4.5V下的導(dǎo)通電壓上升斜率控制在3ms，限制使用容性或噪聲敏感負載的設(shè)計方案的涌入電流。
2013-05-06
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Vishay新款功率MOSFET導(dǎo)通電阻比前一代器件低45%
Vishay Siliconix 新型N溝道TrenchFET功率MOSFET——SiR872ADP，電壓擴大至150V，為DC/DC應(yīng)用提供18mΩ導(dǎo)通電阻，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、DC/AC逆變器，以及通信磚式電源、太陽能微逆變器和無刷直流電機的升壓轉(zhuǎn)換器中的初級側(cè)和次級側(cè)的同步整流。
2013-04-24
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具有2W的高功率0.001Ω低阻值0.5%容差的電阻產(chǎn)品
日前，Vishay宣布，推出2010外形尺寸的新款表面貼裝Power Metal Strip電阻---WSLP2010。該電阻具有2W的高功率等級和0.001Ω的極低阻值，以及0.5%的穩(wěn)定電阻容差。
2013-01-28
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非常適合OLED顯示器的0.8mm低外形0805鉭電容
Vishay推出新款MICROTAN片式鉭電容器，新器件0.8mm至1.0mm高度及外形尺寸可用于空間受限的消費電子產(chǎn)品，具有3.3μF-35V～220μF-4V的高CV等級。
2013-01-23
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具有3KW抗浪涌能力的汽車級SMT雙向TVS
Vishay新款表面貼裝TRANSZORB雙向TVS具有3kW的高浪涌能力，該器件采用SMC DO-214AB封裝，浪涌能力是傳統(tǒng)1.5kW器件的兩倍，可保護敏感的電子設(shè)備免遭由系統(tǒng)感性負載切換和閃電所引入的電壓瞬態(tài)的破壞。
2013-01-16
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新款表面貼裝TVS：比傳統(tǒng)器件浪涌能力高233%
Vishay的新款表面貼裝PAR TVS器件具有5kW的高浪涌能力，該器件采用DO-214AB封裝和+185℃的工作結(jié)溫，比采用SMC封裝的傳統(tǒng)1.5kW器件的浪涌能力高233%,該系列器件可用于汽車和電信應(yīng)用。
2013-01-14
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經(jīng)AEC-Q101認(rèn)證的40V N溝道功率MOSFET
近日，Vishay推出采用7腳D2PAK封裝的新款Siliconix 40V N溝道TrenchFET功率MOSFET，該產(chǎn)品通過AEC-Q101認(rèn)證并具有1.1mΩ的低導(dǎo)通電阻和200A的連續(xù)漏極電流。
2013-01-10
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適用于升壓轉(zhuǎn)換器、低功率逆變器的功率MOSFET
Vishay 率先推出PowerPAK SC-75和SC-70封裝的功率MOSFET，器件的超小PowerPAK SC-75和PowerPAK SC-70封裝可在這些應(yīng)用中節(jié)省PCB空間，其低導(dǎo)通電阻可實現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻，從而降低能源消耗，提高效率。
2013-01-10
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0.001Ω的極低阻值的高性能應(yīng)用電阻
2010外形尺寸的Vishay新款Power Metal Strip電阻具有2W功率等級和0.001Ω的極低阻值，新器件使工程師能夠用盡可能小的電阻設(shè)計出高功率電路，用于更高性能的最終產(chǎn)品。
2013-01-09
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