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SMM4F：意法半導體超小Transil瞬變電壓抑制二極管系列
意法半導體推出SMM4F系列單向Transil瞬變電壓抑制二極管，新系列產品在三個主要方面提高性能：在小空間內提供先進的保護功能、降低泄漏電流實現(xiàn)低損耗、結溫最大化以提升可靠性。
2008-05-15
SMM4F 二極管 diode 消費電子
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STGxL6NC60D：意法半導體新款IGBT系列
意法半導體推出一系列新的IGBT，新系列產品采用高效的壽命控制工藝，有效降低了關斷期間的能耗。如果設計工程師采用ST的全新IGBT,用于工作頻率超過20kHz的照明鎮(zhèn)流器等節(jié)能型電路內，應用的整體功率可望提高到一個新的水平，遠勝標準技術的MOSFET。
2008-05-13
STGxL6NC60D 絕緣柵雙極晶體管 IGBT 開關電源
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DG系列：Vishay八款高精度儀表應用模擬多路復用器與開關
日前，Vishay推出八款面向高精度儀表應用的新型高頻、低電荷注入模擬多路復用器與開關。這些產品還是同類器件中首批除標準 TSSOP 與 SOIC 封裝外還提供采用 1.8mm×2.6mm 無引線微型 QFN 封裝的器件。
2008-05-12
DG604 DG4052A DG4051A DG4053A DG611A DG612A DG613 DG636 多路復用器與開關
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NBXxxxx：安森美高性能單頻和雙頻晶體振蕩器模塊
安森美半導體擴充了高性能時鐘和數據管理產品系列，推出九款基于鎖相環(huán)(PLL)的新PureEdge時鐘模塊，替代晶體振蕩器(XO)。NBXxxxx系列非常適用于高速網絡、電信和高端計算應用。
2008-05-07
PLL PureEdge NBXxxxx 通信應用 振蕩器
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STW55NM60ND：意法半導體快速恢復MOSFET產品
意法半導體推出快速恢復MOSFET晶體管新產品系列，用于包括再生能源控制器在內的以能效為中心的應用需求。新產品在現(xiàn)有產品的基礎上提高了開關性能，同時還使導通電阻實現(xiàn)超過18%的降幅。
2008-05-06
STW55NM60ND MOSFET 場效應管
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MAX4928A/MAX4928B：Maxim新高速無源開關
Maxim推出超高速、1:2或2:1、DisplayPort/PCI Express (PCIe)無源開關MAX4928A/MAX4928B。該器件采用n溝道開關，可在圖形存儲控制中心(GMCH)與PCIe 2.0插槽或DisplayPort連接器之間切換差分信號。
2008-05-01
MAX4928A MAX4928B 無源開關 DisplayPort PCI Express (PCIe)
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8STH06FP/8S2TH06FP/15STH06FP/15S2TH06FP：Vishay 四款高頻整流器
日前，Vishay推出四款新型 600V FRED Pt 超高速整流器，這些器件具有超快、超穩(wěn)定的反向恢復時間及低正向壓降，可減少高效 PFC 及 SMPS 應用中的開關損失。
2008-04-25
8STH06FP 8S2TH06FP 15STH06FP 15S2TH06FP 高頻整流器
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南方芯源的系列無鹵化產品通過可靠性測試
2008年4月， Samwin系列產品的無鹵化產品通過可靠性測試，成為國內首家提供全系列無鹵產品的MOSFET制造商。其中SW C1N70A(TO-92)產品已通過Apple公司的HF（無鹵）認證，SW I2N70(TO-251)已通過Samsung 的HF認證。
2008-04-22
SW C1N70A(TO-92) 無鹵 HF SW I2N70(TO-251)
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NTUD312x:安森美適合便攜電子產品應用超小型MOSFET
安森美半導體推出三款新的采用超小型SOT-963封裝的MOSFET，它們均針對空間受限的便攜電子產品進行了優(yōu)化。SOT-963的尺寸為1.0 mm×1.0 mm，這些采用SOT-963封裝的NTUD312x新器件僅有0.5 mm的低垂直凈距，滿足新世代超薄手持便攜設備的要求。
2008-04-21
NTUD312x NTUD3127C NTUD3129P MOSFET SOT-963 便攜應用
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