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華潤微總裁李虹：中國半導體市場下滑趨勢有到底跡象！
6月17日，在廣州南沙召開的第二屆中國?南沙國際集成電路產業(yè)論壇（2023 IC NANSHA）上，國內IDM大廠華潤微（SH688396）總裁李虹在演講中表示，中國半導體市場規(guī)模在過去的一年當中，增速弱于全球，呈現周期性衰退，但下滑趨勢有到底跡象。
2023-07-24
華潤微 中國半導體 市場下滑
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工程師必須知道的大電流單通道柵極驅動器設計技巧
NCD(V)5700x 是大電流單通道柵極驅動器，內置電流隔離功能，用于在高功率應用中實現高系統(tǒng)效率和可靠性。其特性包括：互補輸入（IN+ 和 IN-），開漏故障（1686908889869977.png）和就緒 (RDY) 輸出，復位或清除故障功能（1686908875512772.png），有源米勒箝位 (CLAMP)，去飽和保護 (DESAT)，去飽和...
2023-07-21
柵極驅動器 設計技巧
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百度智能云AI技術加身，自動駕駛量變到質變倍道兼行
當前，自動駕駛技術的發(fā)展可謂日新月異，不過離最高級別還相去甚遠。2022年，自動駕駛行業(yè)在喜憂參半中前行，一方面，眾多自動駕駛公司估值縮水、裁員倒閉，高級別自動駕駛技術商業(yè)化落地尚需時日；另一方面，國內自動駕駛利好政策密集出臺，首次實現立法突破，自動駕駛測試區(qū)不斷增加。
2023-07-20
百度智能云 AI 自動駕駛
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深度剖析IGBT柵極驅動注意事項
IGBT晶體管的結構要比 MOSFET 或雙極結型晶體管 (BJT) 復雜得多。它結合了這兩種器件的特點，并且有三個端子：一個柵極、一個集電極和一個發(fā)射極。就柵極驅動而言，該器件的行為類似于 MOSFET。它的載流路徑與 BJT 的集電極-發(fā)射極路徑非常相似。圖 1 顯示了 n 型 IGBT 的等效器件電路。
2023-07-20
IGBT 柵極驅動 注意事項
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貿澤電子第六次斬獲Molex年度全球優(yōu)質服務代理商獎
2023年7月19日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) ，宣布榮獲全球電子產品知名企業(yè)和連接創(chuàng)新者Molex頒發(fā)的2022年度全球優(yōu)質服務（目錄）代理商獎。這也是貿澤第六次斬獲這一全球知名獎項，貿澤憑借2022年度全球客戶數大幅增長，以及增...
2023-07-19
貿澤電子 Molex
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高層專訪 | 感知未來，照亮世界，艾邁斯歐司朗的穩(wěn)健前行
自ams于2019年宣布收購OSRAM并成立艾邁斯歐司朗集團（ams OSRAM）以后，這家光學解決方案的全球領導者就穩(wěn)步發(fā)展，“傳感即生活”也一如既往地成為這家光學巨頭的發(fā)展愿景。
2023-07-19
艾邁斯歐司朗 傳感器
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PFC電路：死區(qū)時間理想值的考量
由于該電路是進行同步整流工作的電路，所以我們通過仿真來探討高邊（HS）和低邊（LS）SiC MOSFET SCT2450KE的死區(qū)時間理想值，即不直通的最短時間。死區(qū)時間可以通過仿真工具的PWM控制器參數TD1（HS）和TD2（LS）來分別設置。
2023-07-18
PFC電路 死區(qū)時間 理想值
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了解這些 就可以搞懂 IGBT
絕緣柵雙極晶體管（IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種三端功率半導體器件，主要用作電子開關，在較新的器件中以結合高效和快速開關而聞名。IGBT通過在單個器件中組合用于控制輸入的隔離柵極FET和作為開關的雙極功率晶體管，將MOSFET的簡單柵極驅動特性與雙極晶體管的高電流和低飽和...
2023-07-18
工作原理 IGBT
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計算DC-DC補償網絡的分步過程
本文旨在幫助設計人員了解DC-DC補償的工作原理、補償網絡的必要性以及如何使用正確的工具輕松獲得有效的結果。該方法使用LTspice?中的一個簡單電路，此電路基于電流模式降壓轉換器的一階（線性）模型1。使用此電路，無需執(zhí)行復雜的數學計算即可驗證補償網絡值。
2023-07-17
DC-DC 補償網絡 計算過程
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