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Vishay推出新款4線雙向?qū)ΨQESD保護(hù)陣列
Vishay推出新款4線VCUT05A4-05S-G-08雙向?qū)ΨQ(BiSy)ESD保護(hù)陣列，可保護(hù)PC和便攜式消費(fèi)電子產(chǎn)品中的USB 2.0等數(shù)據(jù)端口應(yīng)用。
2010-05-26
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10011系列：Vishay通過新DSCC Drawing 10011認(rèn)證的超高容值液鉭電容器
Vishay宣布，推出通過新DSCC Drawing 10011認(rèn)證的超高容值液鉭電容器 --- 10011系列電容器，針對(duì)高可靠性應(yīng)用提供玻璃至金屬密封，具有72,000μF的高容值和低至0.035?的ESR。
2010-05-24
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Vishay幫助客戶進(jìn)一步了解Vishay Dale電阻技術(shù)的先進(jìn)性
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，為幫助客戶了解如何將Vishay Dale電阻技術(shù)用于定制產(chǎn)品，滿足特定用戶的需求，Vishay在其網(wǎng)站(http://www.vishay.com)新增加了一個(gè)介紹Power Metal Strip?分流電阻的流媒體視頻。
2010-05-10
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Si7625DN：Vishay推出30V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay推出首款采用PowerPAK? 1212-8封裝的30V P溝道第三代TrenchFET?功率MOSFET --- Si7625DN，用于筆記本電腦、上網(wǎng)本和工業(yè)/通用系統(tǒng)中的適配器、負(fù)載和電池開關(guān)，該器件的導(dǎo)通電阻是最低的還可以減小電壓降。
2010-05-07
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CWR06/16：Vishay新款TANTAMOUNT固態(tài)鉭電容可滿足宇航級(jí)應(yīng)用
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其CWR06和CWR16 TANTAMOUNT?固態(tài)鉭電容器現(xiàn)可滿足MIL-PRF-55365為宇航級(jí)應(yīng)用制定的“T”-level要求。
2010-05-04
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Si8499DB：Vishay推出P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片級(jí)MICRO FOOT?封裝的P溝道第三代TrenchFET?功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占位面積內(nèi)，這款20V器件提供業(yè)內(nèi)P溝道MOSFET最低的導(dǎo)通電阻。
2010-04-29
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IHLP-1212BZ-11：Vishay推出其最小的IHLP器件
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用1212外形尺寸的新款I(lǐng)HLP?小尺寸、高電流電感器 --- IHLP-1212BZ-11。IHLP-1212BZ-11是迄今為止Vishay最小的IHLP器件，具有3.0mm x 3.6mm的占位、2.0mm的超小尺寸以及0.22μH至1.5μH的標(biāo)準(zhǔn)感值，其最高頻率可達(dá)1.0MHz。
2010-04-26
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適用在極端惡劣環(huán)境下的新款薄膜貼片電阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出為鉆井和航空等極端高溫環(huán)境優(yōu)化的新系列打線式、裸芯片貼片式電阻 --- Vishay Sfernice RMKHT和電阻網(wǎng)絡(luò)。
2010-04-19
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SiA975DJ：Vishay 推出新款雙路12V P溝道功率MOSFET
Vishay 近日宣布推出新款雙路12V P溝道TrenchFET功率MOSFET——SiA975DJ。新器件具有迄今為止雙路P溝道器件中最低的導(dǎo)通電阻，采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK SC-70封裝。
2010-04-15
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Vishay為MC AT薄膜電阻增加了新的外形尺寸和精度版本
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出采用0402、0603、0805和1206外形尺寸的電阻器件，擴(kuò)充了MC AT系列專用薄膜貼片式電阻。此外，該系列中具有更低TCR和容差的新款精密版本也已經(jīng)發(fā)布了。
2010-04-14
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SiA975DJ：雙路12V P溝道TrenchFET功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款雙路12V P溝道TrenchFET功率MOSFET --- SiA975DJ。新器件具有迄今為止雙路P溝道器件中最低的導(dǎo)通電阻，采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK SC-70封裝。
2010-04-13
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Vishay推出6767外形尺寸新器件
Vishay4 月 1 日宣布推出采用6767外形尺寸、低外形、高電流的新款I(lǐng)HLP電感器——IHLP-6767DZ-01。IHLP-6767DZ-01具有4.0mm的超薄外形，具有高最高頻率、高達(dá)92A的飽和電流和0.22μH至10.0μH的標(biāo)準(zhǔn)感值。
2010-04-12
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