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TM1810-3， TM1810-2 LED恒流驅(qū)動IC
在 使用BH1750測量激光發(fā)射器的強度[1] 文章后面的留言中，aytc100給出了內(nèi)部限流保護芯片可能是TM1810之類的。并給出了相應的 TM1810資料鏈接 。考慮到后面可能需要進行相應的激光管的實驗，所以從 TMALL購買TM1810-2,TM1810-3 以備后面進行測試使用。
2021-09-08
TM1810-3 LED 恒流驅(qū)動IC
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大功率晶閘管參數(shù)解析之開關(guān)特性
功率二極管晶閘管廣泛應用于AC/DC變換器、UPS、交流靜態(tài)開關(guān)、SVC和電解氫等場合，但大多數(shù)工程師對這類雙極性器件的了解不及對IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動態(tài)特性，控制特性，保護以及損耗與熱特性。內(nèi)容摘自英飛凌英文版應用指南AN2012-01《雙極性半導體技術(shù)信息》。
2021-09-08
晶閘管 參數(shù)解析 開關(guān)特性
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新興汽車開關(guān)應用
自動駕駛汽車人工智能的發(fā)展正逐漸改變?nèi)藗兊鸟{乘體驗。全自動駕駛車輛將為汽車駕駛艙帶來徹底的變革。實際上，我們已經(jīng)看到具備半自動駕駛功能的汽車的出現(xiàn)。功能性和舒適性是推動汽車內(nèi)部變化的主要因素。考慮到車輛內(nèi)的功能越來越多，對于聯(lián)系駕駛員和駕駛艙新環(huán)境之間的用戶界面，設計師和工程...
2021-09-08
汽車開關(guān) 應用
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貿(mào)澤聯(lián)手安森美推出全新資源平臺，分享BLDC電機控制新品與技術(shù)見解
2021年9月7日 – 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 與推動節(jié)能創(chuàng)新的半導體解決方案知名供應商安森美(onsemi)合作，創(chuàng)建了一個全新內(nèi)容平臺，用于介紹無刷直流 (BLDC) 電機控制資源、產(chǎn)品和技術(shù)見解。安森美在MOSFET和其他電源、傳感和保護設備領(lǐng)域處于...
2021-09-07
貿(mào)澤 安森美 BLDC電機控制
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在正確的比較中了解SiC FET導通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化
比較SiC開關(guān)的數(shù)據(jù)資料并非易事。由于導通電阻的溫度系數(shù)較低，SiC MOSFET似乎占據(jù)了優(yōu)勢，但是這一指標也代表著與UnitedSiC FET相比，它的潛在損耗較高，整體效率低。
2021-09-07
SiC FET 導通電阻 溫度變化
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負壓脈沖高？教你3招制伏
隨著5G通信與新能源車的普及，人們對高效率電源的需求越來越多。而提升電源轉(zhuǎn)換效率的關(guān)鍵因素就在于開關(guān)電源中的功率部分。
2021-09-07
負壓脈 5G通信 電源效率
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開關(guān)電源中的局部放電
局部放電（partial discharge，簡稱PD）現(xiàn)象，通常主要指的是高壓電氣設備絕緣層在足夠強的電場作用下局部范圍內(nèi)發(fā)生的放電，某個區(qū)域的電場強度一旦達到其介質(zhì)擊穿場強時，該區(qū)域就會出現(xiàn)放電現(xiàn)象。這種放電以僅造成導體間的絕緣局部短（路橋）接而不形成導電通道為限。每一次局部放電對絕緣介質(zhì)都...
2021-09-07
開關(guān)電源 局部放電
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板子上的MOSFET莫名炸機，多半是這個原因！
MOSFET、IGBT是開關(guān)電源最核心也是最容易燒壞的器件！其原因大多是過壓或過流導致功耗大增，從而使器件損壞，甚至可能會伴隨爆炸。而SOA安全工作區(qū)測試，就是保障其安全工作的重要測試項目！
2021-09-07
MOSFET 炸機 開關(guān)電源
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新能源汽車驅(qū)動電機結(jié)構(gòu)與工作原理
驅(qū)動電機是電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)的核心部件，是車輛行駛的主要執(zhí)行機構(gòu)，其特性決定了車輛的主要性能指標，直接影響車輛動力性、經(jīng)濟性和舒適性。它是把電能轉(zhuǎn)換為機械能的一種設備，它利用勵磁線圈，產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)磁場形成磁電動力旋轉(zhuǎn)力矩。導線在磁場中受力的作用，使電機輸出轉(zhuǎn)矩。
2021-09-07
新能源汽車 驅(qū)動電機 工作原理
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