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Si8441DB/Si8451DB:Vishay超薄20V P通道功率MOSFET
日前,為滿足對便攜式設(shè)備中更小元件的需求,Vishay推出 20V p 通道 TrenchFET功率 MOSFET,該器件采用 MICRO FOOT芯片級封裝,具有超薄厚度及最低導(dǎo)通電阻。
2008-04-09
Si8441DB Si8451DB 功率MOSFET
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Si8441DB/Si8451DB:Vishay超薄20V P通道功率MOSFET
日前,為滿足對便攜式設(shè)備中更小元件的需求,Vishay推出 20V p 通道 TrenchFET功率 MOSFET,該器件采用 MICRO FOOT芯片級封裝,具有超薄厚度及最低導(dǎo)通電阻。
2008-04-09
Si8441DB Si8451DB 功率MOSFET
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MAX4888A/MAX4889A:Maxim PCIe高速無源開關(guān)
Maxim推出MAX4888A/MAX4889A高速PCI Express (PCIe)無源開關(guān),能夠切換速率在5.0Gbps的數(shù)據(jù)。這兩款無源開關(guān)支持PCIe 2.0數(shù)據(jù)切換,具有較低的功耗,并且提供按信號流向的引腳配置以優(yōu)化PCB布板。
2008-04-07
MAX4888A MAX4889A PCI Express (PCIe)無源開關(guān) DisplayPort
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MAX4888A/MAX4889A:Maxim PCIe高速無源開關(guān)
Maxim推出MAX4888A/MAX4889A高速PCI Express (PCIe)無源開關(guān),能夠切換速率在5.0Gbps的數(shù)據(jù)。這兩款無源開關(guān)支持PCIe 2.0數(shù)據(jù)切換,具有較低的功耗,并且提供按信號流向的引腳配置以優(yōu)化PCB布板。
2008-04-07
MAX4888A MAX4889A PCI Express (PCIe)無源開關(guān) DisplayPort
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VEMT系列:Vishay PLCC-2 封裝的新型硅NPN光電晶體管
日前,Vishay推出采用可與無鉛 (Pb) 焊接兼容的 PLCC-2 表面貼裝封裝的新系列寬角光電晶體管。VEMT 系列中的器件可作為當(dāng)前 TEMT 系列光電晶體管的針腳對針腳及功能等同的器件,從而可實現(xiàn)快速輕松的替代,以滿足無鉛 (Pb) 焊接要求。
2008-04-04
VEMT3700 VEMT3700F VEMT4700 光電晶體管
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VEMT系列:Vishay PLCC-2 封裝的新型硅NPN光電晶體管
日前,Vishay推出采用可與無鉛 (Pb) 焊接兼容的 PLCC-2 表面貼裝封裝的新系列寬角光電晶體管。VEMT 系列中的器件可作為當(dāng)前 TEMT 系列光電晶體管的針腳對針腳及功能等同的器件,從而可實現(xiàn)快速輕松的替代,以滿足無鉛 (Pb) 焊接要求。
2008-04-04
VEMT3700 VEMT3700F VEMT4700 光電晶體管
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VEMT系列:Vishay PLCC-2 封裝的新型硅NPN光電晶體管
日前,Vishay推出采用可與無鉛 (Pb) 焊接兼容的 PLCC-2 表面貼裝封裝的新系列寬角光電晶體管。VEMT 系列中的器件可作為當(dāng)前 TEMT 系列光電晶體管的針腳對針腳及功能等同的器件,從而可實現(xiàn)快速輕松的替代,以滿足無鉛 (Pb) 焊接要求。
2008-04-04
VEMT3700 VEMT3700F VEMT4700 光電晶體管
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Vishay HE3 濕鉭高能電容器被今日電子雜志評為年度最佳產(chǎn)品
日前,Vishay宣布,其HE3 濕鉭高能電容器榮獲今日電子雜志“2007 年度最佳產(chǎn)品獎”。
2008-03-31
HE3 濕鉭高能電容器
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Vishay HE3 濕鉭高能電容器被今日電子雜志評為年度最佳產(chǎn)品
日前,Vishay宣布,其HE3 濕鉭高能電容器榮獲今日電子雜志“2007 年度最佳產(chǎn)品獎”。
2008-03-31
HE3 濕鉭高能電容器
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