-
電路設(shè)計(jì)及EMC器件選擇
在新設(shè)計(jì)及開發(fā)項(xiàng)目的開始，正確選擇有源與無源器件及完善的電路設(shè)計(jì)技術(shù)，將有利于以最低的成本獲得EMC認(rèn)證，減少產(chǎn)品因屏蔽和濾波所帶來的額外的成本、體積和重量。 這些技術(shù)也可以提高數(shù)字信號的完整性及模擬信號信噪比，可以減少重復(fù)使用硬件及軟件至少一次，這也將有助于新產(chǎn)品達(dá)到其功能技術(shù)...
2011-10-08
電路 EMC 電磁兼容 器件
-
開關(guān)電源PCB 電磁兼容性的建模分析
開關(guān)型變換器噪聲的干擾路徑為干擾源和被干擾設(shè)備提供了耦合條件，對其共模干擾和差模干擾的研究尤為重要。本文主要分析了電路主要元器件的高頻模型以及共模和差模噪聲的電路模型，為開關(guān)電源PCB 的EMC 優(yōu)化設(shè)計(jì)提供有益的幫助。
2011-10-08
開關(guān)電源 PCB 電磁兼容 共模干擾 差模干擾
-
開關(guān)電源的導(dǎo)通、截止與啟動
開關(guān)電源中的開關(guān)管從導(dǎo)通到截止，嚴(yán)格來說是一個(gè)非常復(fù)雜的過程，但我們在進(jìn)行工作原理分析的時(shí)候，一般都會先對一些非主要問題進(jìn)行簡單化。例如，當(dāng)電源開關(guān)管導(dǎo)通或截止的時(shí)候，我們就把它看成是一個(gè)理想的開關(guān)，其工作時(shí)只有兩種狀態(tài)，通或斷。但實(shí)際上開關(guān)管的導(dǎo)通和關(guān)斷都是一個(gè)很復(fù)雜的過程...
2011-10-07
開關(guān)電源 開關(guān)管 導(dǎo)通 截至
-
同步降壓MOSFET 電阻比的正確選擇
在本文中，我們將研究在同步降壓功率級中如何對傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)。進(jìn)行這種折中處理可得到一個(gè)用于 FET 選擇的非常有用的起始點(diǎn)。
2011-10-07
MOSFET 電阻比 同步降壓MOSFET
-
2011年1-8月電子信息產(chǎn)業(yè)固定資產(chǎn)投資情況
今年以來，在各地大力發(fā)展戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的帶動下，電子信息產(chǎn)業(yè)固定資產(chǎn)投資保持高速增長，新開工項(xiàng)目明顯增多，基礎(chǔ)元器件領(lǐng)域投資領(lǐng)先增長，行業(yè)結(jié)構(gòu)不斷調(diào)整。主要特點(diǎn)為：增速持續(xù)保持高位，投資規(guī)模超過去年11個(gè)月水平；光電器件、新能源電池等領(lǐng)域新開工項(xiàng)目明顯增多，帶動全行業(yè)新開工項(xiàng)目...
2011-10-06
電子信息 電子信息產(chǎn)業(yè)
-
2011年硅磁傳感器銷售額預(yù)計(jì)增長24%
據(jù)IHS iSuppli公司的MEMS與傳感器專題報(bào)告，汽車產(chǎn)業(yè)恢復(fù)生機(jī)，全球智能手機(jī)和平板電腦對于數(shù)字羅盤的需求上升，正在推動硅磁傳感器市場加速增長，預(yù)計(jì)2011年銷售額將上升23.7%。
2011-10-05
硅磁傳感器 傳感器 MEMS
-
半導(dǎo)體庫存進(jìn)一步提升 產(chǎn)能過剩警報(bào)響起
研究機(jī)構(gòu)Gartner表示，2011年三季度半導(dǎo)體庫存將進(jìn)一步提升，達(dá)到“令人擔(dān)憂”的水平?！罢麄€(gè)行業(yè)產(chǎn)能過剩的警報(bào)已經(jīng)開始響起?！比虻谌蟀雽?dǎo)體代工企業(yè)格羅方德半導(dǎo)體(GlobalFoundries)首席執(zhí)行官AjitManocha明確指出?！?/p>
2011-10-04
半導(dǎo)體 產(chǎn)能 半導(dǎo)體封測
-
LED點(diǎn)彩壓階傳輸技術(shù)
LED全彩單總線信號驅(qū)動IC在工程應(yīng)用上給工程設(shè)計(jì)人員帶來了更多的信心。壓階傳輸技術(shù)應(yīng)用在單線傳輸技術(shù)基礎(chǔ)上，就顯得格外的簡便，下面我們就以LED全彩單總線驅(qū)動IC—CYT3015為驅(qū)動芯片，來介紹壓階傳輸技術(shù)在LED點(diǎn)彩技術(shù)的應(yīng)用。
2011-09-30
LED 壓階傳輸 壓階 LED點(diǎn)彩
-
超級電容器的壽命分析
本文提出了高溫對超級電容器壽命的影響超出預(yù)想的原因并分析了不同的封裝形式在高溫條件下的實(shí)際壽命以及壽命減半的溫度差；給出了實(shí)際電壓與壽命的相對關(guān)系；分析了不同形式的單體電壓均衡的效果。
2011-09-30
電容 電容器 超級電容器
- 大聯(lián)大世平發(fā)布AI玩具方案：支持多角色定制與20條指令詞，賦能全齡段陪伴
- 破解多通道測溫難題：Microchip新款I(lǐng)C實(shí)現(xiàn)±1.5°C系統(tǒng)精度
- Bourns擴(kuò)展車規(guī)級EMI解決方案：雙型號共模扼流圈覆蓋500至1700Ω阻抗
- Coherent高意突破單纖雙向技術(shù)：100G ZR QSFP28相干模塊實(shí)現(xiàn)十倍容量提升
- 面向電動汽車與工業(yè)驅(qū)動：Vishay第七代FRED Pt整流器通過AEC-Q101認(rèn)證
- 跨界物聯(lián)創(chuàng)新：貿(mào)澤電子以白金贊助商身份助力Works With 2025
- 意法半導(dǎo)體布局面板級封裝，圖爾試點(diǎn)線2026年投產(chǎn)
- 無懼高溫挑戰(zhàn)：SiC JFET助力SSCB實(shí)現(xiàn)高可靠性保護(hù)
- 聚焦物聯(lián)網(wǎng)前沿，DigiKey 助力 Works With 開發(fā)者盛會
- AMD 銳龍嵌入式 9000 系列為工業(yè)計(jì)算與自動化帶來下一代性能和效率
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
