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MEMS麥克風出貨量2013年將突破10億個
據(jù)iSuppli預(yù)估，全球MEMS麥克風出貨量在2009年僅盡會成長7.5%。但盡管歷經(jīng)2009年的衰退，但在移動手持裝置與其它類似應(yīng)用的強力驅(qū)動下，2008至2013年，全球微機電系統(tǒng)(MEMS)麥克風仍預(yù)計將成長三倍以上，2013年全球MEMS麥克風出貨量將從08年的3.285億個成長至11億個。
2009-10-14
MEMS 麥克風 出貨量 手機
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長電科技將打造世界級半導(dǎo)體封測企業(yè)
今年1-4月，我國電子信息產(chǎn)品累計進出口總額2016.93億美元，同比下降26.01%;電子信息產(chǎn)品累計出口1207.2億美元，同比下降24.15%。根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會的統(tǒng)計，2009年1-6月，中國IC封測行業(yè)僅完成219.8億元銷售額，同比下降38.6%。對長電科技而言，2009年以來公司在經(jīng)營上也遭遇了嚴峻的挑戰(zhàn)。
2009-10-14
長電 進出口 電子
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臺灣連接器企業(yè)主推LED照明及車用電子
臺灣連接器市場受惠于臺灣像是PC、NB、監(jiān)視器、主機板或安全監(jiān)控系統(tǒng)等產(chǎn)業(yè)規(guī)模的興盛，連帶的讓臺灣連接器產(chǎn)業(yè)的總體產(chǎn)值推升到全球第3大，同時每年的年增長率也都優(yōu)于全球連接器產(chǎn)業(yè)的平均水準。
2009-10-13
臺灣 連接器 LED照明 車用電子
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太陽能未來3年重啟成長動能
2008年全球太陽能裝置量約5.6GW。預(yù)估到2010年，全球太陽能裝置量約8.5GW，整體亞洲市場由2008年的5%成長到20%。摩根士丹利亞洲科技產(chǎn)業(yè)研究主管暨董事總經(jīng)理古塔預(yù)測隨著潛在供給同步成長，到2013年以前持續(xù)供過于求。
2009-10-13
摩根士丹利 太陽能
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2920A型:吉時利發(fā)布射頻矢量信號發(fā)生器
先進電子測試儀器與系統(tǒng)的世界級領(lǐng)導(dǎo)者吉時利儀器公司（NYSE：KEI），今天宣布對其流行的射頻矢量信號發(fā)生器產(chǎn)品線進行功能升級，降低了信號產(chǎn)生的時間并增強了信號質(zhì)量。競爭對手的信號發(fā)生器往往需要用戶不得不在最佳的信號質(zhì)量和最大的測試吞吐量方面進行權(quán)衡，而吉時利新款2920A型信號發(fā)生器在...
2009-10-12
吉時利 射頻 矢量信號 發(fā)生器
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iSuppli中國半導(dǎo)體市場今年下滑6.8% 2010年將大幅成長17.8%
2009 年中國半導(dǎo)體市場為682億美元，較去年下滑6.8%。相對于全球半導(dǎo)體市場的萎縮，中國市場的下滑要小的多。受經(jīng)濟危機影響，全球電子產(chǎn)品的產(chǎn)值為1.4萬億美元較2008年下降了9%。與此同時，全球半導(dǎo)體市場2009年將下降16.2%到2295億美元。但是在出口增長和內(nèi)需拉到的雙重作用下，中國半導(dǎo)體市場在2...
2009-10-12
半導(dǎo)體 iSuppli
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電子元器件在電路仿真中的建模
計算機仿真具有效率高、精度高、可靠性高和成本低等特點，已被廣泛應(yīng)用于電力電子電路(或系統(tǒng))的分析和設(shè)計。目前各種仿真工具中都自帶很多常用的元器件模型，但是自帶模型庫永遠跟不上電子元器件的更新速度。這里針對建模的重要性和必要性，研究當前流行的電子電路仿真工具的電子元器件模型，提出...
2009-10-12
計算機仿真 建模的 參數(shù)建模法 子電路建模法
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FSSD06 /FSSD07 :飛兆半導(dǎo)體推出通信功能的存儲器開關(guān)
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)為手機、數(shù)碼相機和便攜應(yīng)用設(shè)計人員提供兩款存儲器開關(guān)產(chǎn)品 FSSD06 和 FSSD07 ，擴展了普通處理器至安全數(shù)字(SD)、安全數(shù)字I/O (SDIO) 和多媒體卡 (MMC)等外設(shè)的通信功能。
2009-10-12
FSSD06 FSSD07 開關(guān) 便攜應(yīng)用 手機
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FDFME3N311ZT：飛兆半導(dǎo)體實現(xiàn)高效率的升壓開關(guān)
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 全新的升壓開關(guān)產(chǎn)品FDFME3N311ZT，有助提高手機、醫(yī)療、便攜和消費應(yīng)用設(shè)計的升壓轉(zhuǎn)換電路效率。該器件結(jié)合了30V集成式N溝道PowerTrench? MOSFET和肖特基二極管，具有極低的輸入電容 (典型值55pF) 和總體柵極電荷 (1nC)，以提升DC-DC升壓設(shè)計的效率。
2009-10-12
FDFME3N311ZT MOSFET 飛兆半導(dǎo)體
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