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準 Z 源逆變器的設計
qZSI 旨在解決與可再生能源中電壓范圍受限相關的挑戰(zhàn)，與 CSI 和 VSI 等傳統(tǒng)逆變器拓撲不同，qZSI 可以處理功率波動。qZSI 拓撲結構增強了對突然電壓尖峰等故障的容忍度，從而提高了電壓轉換的整體效率和可靠性。QZSI 是從 Z 源逆變器 （ZSI） 拓撲演變而來的，允許在一個階段進行升壓和降壓操作。
2024-12-22
逆變器
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能源、清潔科技和可持續(xù)發(fā)展的未來
二十多年來，科學家和氣候學家一直在發(fā)出警示，提醒人們關注全球變暖的影響及其與溫室氣體（GHG）排放之間的聯(lián)系。但如今，全球社會的注意力已經(jīng)轉向具體的行動，以及如何解決氣候變化的根本原因和相關影響。半導體是現(xiàn)代設備、電動汽車（EV）、智能手機、機器人等產品的大腦中樞。通過定制創(chuàng)新和自...
2024-12-20
能源 清潔科技 可持續(xù)發(fā)展
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對比雙電源分立式和集成式儀表放大器
設計分立式儀表放大器 (IA) 與集成式 IA 的優(yōu)點和缺點有很多，而且經(jīng)常爭論不休。需要考慮的一些變量包括印刷電路板 (PCB) 面積、增益范圍、性能（隨溫度變化）和成本。本文的目的是比較三種雙電源 IA 電路：使用四路運算放大器 (op amp) 的分立式 IA、具有集成增益設置電阻器 (RG) 的通用 IA 和帶...
2024-12-13
雙電源 分立式 集成式 儀表放大器
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第11講：三菱電機工業(yè)SiC芯片技術
1200V級SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢的器件，廣泛應用于工業(yè)、汽車等領域。目前，1200V級SiC MOSFET被多家器件廠商定位為主力產品，本文主要介紹三菱電機1200V級SiC MOSFET的技術開發(fā)概要。
2024-12-12
三菱電機 工業(yè) SiC 芯片技術
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用4200A和矩陣開關搭建自動智能的可靠性評估平臺
在現(xiàn)代ULSI電路中溝道熱載流子（CHC）誘導的退化是一個重要的與可靠性相關的問題。載流子在通過MOSFET通道的大電場加速時獲得動能。當大多數(shù)載流子到達漏極時，熱載流子（動能非常高的載流子）由于原子能級碰撞的沖擊電離，可以在漏極附近產生電子—空穴對。
2024-12-12
矩陣開關 熱載流子
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運行可靠性：工業(yè)電源的關鍵指標
為確保電源能在各類應用場景，尤其是在嚴苛的工業(yè)環(huán)境中為設備持續(xù)運行提供支持，確保電源設計具有較高的運行可靠性至關重要。本博客將從以下幾個方面探討運行可靠性：運行可靠性的定義、評估方法以及 RECOM 電源設計如何最大限度地提高運行可靠性。
2024-12-11
工業(yè)電源
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LED 調光引擎：基于 8 位 MCU 的開關模式可調光 LED 驅動器解決方案
開關模式可調光 LED 驅動器以其高效率和對 LED 電流的控制而聞名。它們還可以提供調光功能，使終用戶能夠創(chuàng)造出夢幻般的照明效果，同時降低功耗。
2024-12-05
LED 調光引擎 MCU 開關模式 LED 驅動器
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面對電動汽車和數(shù)據(jù)中心兩大主力應用市場，SiC和GaN該如何發(fā)力？
氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）是寬禁帶（WBG）半導體材料，由于其獨特性，使其在提高電子設備的效率和性能方面起著至關重要的作用，特別是在DC/DC轉換器和DC/AC逆變器領域。
2024-12-04
電動汽車 數(shù)據(jù)中心 SiC GaN
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借助支持邊緣 AI 的 MCU 優(yōu)化實時控制系統(tǒng)中的系統(tǒng)故障檢測
本文中將討論集成式微控制器 (MCU) 如何增強高壓實時控制系統(tǒng)中的故障檢測功能。此類 MCU 使用集成神經(jīng)網(wǎng)絡處理單元 (NPU) 運行卷積神經(jīng)網(wǎng)絡 (CNN) 模型，幫助在監(jiān)測系統(tǒng)故障時降低延遲和功耗。通過將邊緣 AI 功能集成到用于管理實時控制的同一 MCU 中，可以幫助您優(yōu)化系統(tǒng)設計，同時增強整體性能。
2024-12-02
邊緣 AI MCU 實時控制系統(tǒng)
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