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攻克28G PAM4抖動(dòng)難題！差分輸出VCXO如何重塑光通信時(shí)鐘架構(gòu)
在400G/800G光模塊的56Gbaud PAM4調(diào)制系統(tǒng)中，時(shí)鐘抖動(dòng)每增加0.1ps RMS，誤碼率將飆升300%。傳統(tǒng)單端CMOS時(shí)鐘源因共模噪聲干擾，難以滿足高速SerDes對相位穩(wěn)定性的嚴(yán)苛需求。差分輸出VCXO（壓控晶體振蕩器）通過對稱差分信號（LVDS/HCSL） 實(shí)現(xiàn)共模噪聲抑制，結(jié)合±50ppm頻率微調(diào)能力，將相位抖動(dòng)壓...
2025-06-27
差分輸出VCXO 低抖動(dòng)時(shí)鐘源 光通信時(shí)鐘同步 相位噪聲優(yōu)化 SerDes時(shí)鐘解決方案 LVDS振蕩器
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一文讀懂SiC Combo JFET技術(shù)
安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開關(guān)速度的應(yīng)用，如固態(tài)斷路器和大電流開關(guān)系統(tǒng)。得益于碳化硅（SiC）優(yōu)異的材料特性和 JFET 的高效結(jié)構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個(gè)器件并聯(lián)以高效管理大電流負(fù)載的應(yīng)用場景。
2025-06-26
安森美 SiC JFET并聯(lián)技術(shù) 固態(tài)斷路器解決方案 大電流SiC JFET Combo JFET結(jié)構(gòu)
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控制回路仿真入門：LTspice波特圖分析詳解
在電源設(shè)計(jì)中，控制回路的穩(wěn)定性是確保電源可靠運(yùn)行的關(guān)鍵。一個(gè)設(shè)計(jì)不當(dāng)?shù)目刂苹芈房赡軐?dǎo)致電源振蕩、輸出紋波過大，甚至降低電磁兼容性（EMC）性能。此外，控制回路的響應(yīng)速度直接影響到電源對負(fù)載變化和輸入電壓波動(dòng)的適應(yīng)能力。為了確保電源的穩(wěn)定性和高效性，控制回路的仿真分析至關(guān)重要。
2025-06-25
LTspice 波特圖分析 控制回路仿真 開關(guān)穩(wěn)壓器 電源穩(wěn)定性優(yōu)化 相位裕度 增益帶寬
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馴服電源幽靈：為敏感器件打造超低噪聲供電方案
在射頻通信、精密測量、高分辨率數(shù)據(jù)采集等尖端領(lǐng)域，毫伏級的電源噪聲都可能成為性能的致命殺手。鎖相環(huán)（PLL）的相位噪聲惡化、壓控振蕩器（VCO）的輸出頻率漂移、高分辨率模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）的有效位數(shù)（ENOB）下降——這些敏感電路的卓越性能，無一不建立在超低噪聲、超高純凈度的電源基礎(chǔ)之上。本...
2025-06-24
超低噪聲電源設(shè)計(jì) 射頻電源解決方案 μV級電源噪聲 低噪聲LDO 低噪聲電源模塊
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攻克次諧波振蕩：CCM反激斜坡補(bǔ)償?shù)墓β史旨壷改?/span>
在CCM反激式轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中，峰值電流模式控制（Peak Current Mode Control）因其優(yōu)異的輸入電壓抑制能力、固有的逐周期限流保護(hù)和相對簡化的環(huán)路補(bǔ)償而備受青睞。然而，當(dāng)占空比超過50%時(shí)，系統(tǒng)會(huì)出現(xiàn)固有的次諧波振蕩不穩(wěn)定性問題。斜坡補(bǔ)償技術(shù)正是攻克這一難題的核心手段，其設(shè)計(jì)策略需隨功率等級...
2025-06-23
CCM反激 斜坡補(bǔ)償 反激轉(zhuǎn)換器 次諧波振蕩 斜坡補(bǔ)償設(shè)計(jì)
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高精度低噪聲 or 大功率強(qiáng)驅(qū)動(dòng)？儀表放大器與功率放大器選型指南
在現(xiàn)代電子系統(tǒng)的精密舞臺上，兩類關(guān)鍵“演員”——儀表放大器（In-Amp）與功率放大器（Power Amp）——扮演著截然不同卻都不可或缺的角色。它們雖共享“放大”之名，但設(shè)計(jì)哲學(xué)、核心任務(wù)與應(yīng)用疆域存在本質(zhì)差異。理解這種差異，是工程師為系統(tǒng)挑選“最佳配角”的關(guān)鍵。
2025-06-20
儀表放大器 功率放大器 高精度放大器 功率驅(qū)動(dòng)電路
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戰(zhàn)略布局再進(jìn)一步：意法半導(dǎo)體2025股東大會(huì)關(guān)鍵決議全票通過
意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，NYSE：STM）2025年股東大會(huì)于荷蘭阿姆斯特丹圓滿落幕，大會(huì)全票通過所有決議案。作為全球多重電子應(yīng)用領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)者，此次決議將為公司戰(zhàn)略布局注入新動(dòng)能。
2025-06-20
意法半導(dǎo)體 股東大會(huì)
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μV級精度保衛(wèi)戰(zhàn)：信號鏈電源噪聲抑制架構(gòu)全解，拒絕LSB丟失！
在精密測量、醫(yī)療儀器及工業(yè)傳感系統(tǒng)中，信號鏈的μV級精度直接決定系統(tǒng)性能上限。而電源噪聲，常以隱形殺手的姿態(tài)吞噬ADC/DAC的有效位數(shù)——當(dāng)1mV電源紋波可導(dǎo)致12位ADC丟失4個(gè)LSB時(shí)，電源架構(gòu)選型便成為精度保衛(wèi)戰(zhàn)的核心戰(zhàn)場。本文從噪聲頻譜與拓?fù)浔举|(zhì)出發(fā)，拆解LDO、開關(guān)電源及混合架構(gòu)的噪聲基因...
2025-06-19
電源噪聲 ADC精度 PSRR優(yōu)化 信號鏈噪聲抑制 LDO選型 開關(guān)電源濾波
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從單管到并聯(lián)：SiC MOSFET功率擴(kuò)展實(shí)戰(zhàn)指南
在10kW-50kW中高功率應(yīng)用領(lǐng)域，SiC MOSFET分立器件與功率模塊呈現(xiàn)并存趨勢。分立方案憑借更高設(shè)計(jì)自由度和靈活并聯(lián)擴(kuò)容能力突圍——當(dāng)單管功率不足時(shí)，只需并聯(lián)一顆MOSFET即可實(shí)現(xiàn)功率躍升，為工業(yè)電源、新能源系統(tǒng)提供模塊之外的革新選擇。
2025-06-19
SiC MOSFET并聯(lián) 高功率設(shè)計(jì) 分立器件優(yōu)勢 功率擴(kuò)展 熱管理設(shè)計(jì) 并聯(lián)可靠性
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