【導(dǎo)讀】2025年11月20日至21日，全球領(lǐng)先的綜合電子元器件制造商村田中國將盛大出席在成都中國西部國際博覽城舉辦的“2025集成電路發(fā)展論壇（成渝）暨三十一屆集成電路設(shè)計業(yè)展覽會（ICCAD 2025）”，展位號為【D106】。此次參展，村田將聚焦未來高性能AI發(fā)展需求，針對高速高頻設(shè)計挑戰(zhàn)展示一系列小型化、高性能的元器件產(chǎn)品和解決方案，為集成電路產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新與發(fā)展注入新動力。
AI芯片市場正經(jīng)歷前所未有的增長。根據(jù)德勤中國最新發(fā)布的《技術(shù)趨勢2025》報告，全球AI芯片市場到2027年預(yù)計將增長至4000億美元，即使保守預(yù)估也能達到1100億美元規(guī)模。這一爆發(fā)式增長對集成電路設(shè)計提出了更高要求。AI應(yīng)用對計算能力、能效和穩(wěn)定性的需求日益提升，如何優(yōu)化和創(chuàng)新芯片中的各類元器件，已成為行業(yè)關(guān)注的焦點。村田公司憑借其技術(shù)積累，致力于通過元器件創(chuàng)新助力行業(yè)應(yīng)對這些挑戰(zhàn)。
低ESL硅電容：優(yōu)化高頻去耦性能
村田低ESL（UESL）硅電容專為封裝內(nèi)去除高頻反諧振點的去耦和PDN（電源分配網(wǎng)絡(luò)）設(shè)計優(yōu)化而開發(fā)，特別適合AI服務(wù)器高性能計算（HPC）和前沿深度學習所需的高規(guī)格GPU等應(yīng)用場景。
該系列產(chǎn)品具有低等效串聯(lián)電感（ESL）、低等效串聯(lián)電阻（ESR）和多端子設(shè)計，能有效降低PDN在高頻下的阻抗，支持多電源域的去耦需求。其3D結(jié)構(gòu)實現(xiàn)了電容分布的靈活性，目前已成功應(yīng)用于多款旗艦級APU以及HPC的PDN設(shè)計參考中。
多層陶瓷電容器（MLCC）：產(chǎn)品線全面覆蓋
村田此次展出的MLCC產(chǎn)品系列豐富，包括長寬倒置電容（LLL）、三端子電容（NFM）以及小型化大容量電容等多種類型，可廣泛應(yīng)用于AI服務(wù)器、交換機、汽車電子等多種場景。
其中，長寬倒置型低ESL MLCC具有220μm以下的超薄厚度，其低ESL特性對電路PDN設(shè)計大有裨益，非常適合芯片背貼應(yīng)用。而三端子電容則能有效解決板級或芯片內(nèi)部空間限制問題，減少電容使用數(shù)量，顯著提升電路性能。
值得一提的是，村田在大容量化方面取得重大突破，已成為業(yè)內(nèi)首家實現(xiàn)0603尺寸（1.6x0.8mm）/X6/100μF產(chǎn)品量產(chǎn)的廠商，這一技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢進一步鞏固了其在電子元器件領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。
集成封裝解決方案：創(chuàng)新設(shè)計突破空間限制
村田集成封裝解決方案結(jié)合了聚合物電容與多層基板技術(shù)生產(chǎn)工藝，具有容值密度高、厚度薄等突出特點。其專有的通孔設(shè)計可實現(xiàn)芯片或電源模塊的垂直供電，同時具備穩(wěn)定性高、無直流偏置和溫漂的優(yōu)越性能。
與傳統(tǒng)電容布局相比，這一創(chuàng)新解決方案在優(yōu)化PDN阻抗的同時，為高性能計算等應(yīng)用的緊湊化設(shè)計開辟了新的可能性，特別適用于服務(wù)器、GPU和AI加速卡等對空間要求嚴苛的應(yīng)用場景。
專業(yè)技術(shù)分享：PDN設(shè)計與解決方案深度解析
展會期間，村田還將參與“IC設(shè)計與創(chuàng)新應(yīng)用”專題會議，由村田中國產(chǎn)品工程師李丹鈺女士帶來《AI與汽車電子領(lǐng)域的精良封裝IC(PDN)設(shè)計與解決方案》的主題演講。該演講將分享村田在人工智能和車載電子領(lǐng)域的PDN優(yōu)化經(jīng)驗和前沿封裝設(shè)計思路，為行業(yè)專業(yè)人士提供寶貴的技術(shù)洞察。
